金融界2025年8月6日消息，国家知识产权局信息显示，半导体元件工业有限责任公司申请一项名为“具有屏蔽源极的绝缘栅场效应晶体管结构和方法”的专利，公开号CN120435036A，申请日期为2019年12月。

　　专利摘要显示，本公开涉及具有屏蔽源极的绝缘栅场效应晶体管结构和方法。本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括半导体材料区域，该半导体材料区域包括第一导电类型的半导体层并且具有第一主表面。与第一导电类型相反的第二导电类型的本体区域设置在从第一主表面延伸的第二半导体层中。本体区域包括：具有第一掺杂浓度的第一区段；以及横向邻近第一区段并邻近第一主表面的第二区段，该第二区段具有小于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度。第一导电类型的源极区域设置在第一区段中，但是不设置在第二区段的至少一部分中。绝缘栅极电极与邻接第一区段、第二区段和源极区域的半导体材料区域邻近地设置。导电层电连接到第一区段、第二区段和第一源极区域。在线性操作模式期间，电流首先在第二区段中流动，但不在第一区段中流动，以减小发生热失控的可能性。

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